一種全遮擋屏蔽式氧化釩磁控濺射方法及其設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111205635.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113930724A 公開（公告）日 2022-01-14
申請公布號 CN113930724A 申請公布日 2022-01-14
分類號 C23C14/08（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 王世寬;宋永輝;史鵬 申請（專利權(quán)）人 無錫尚積半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 江蘇智天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陳文艷
地址 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)長江南路35-312號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種全遮擋屏蔽式氧化釩磁控濺射方法及其設(shè)備，針對的問題，提供了以下技術(shù)方案，設(shè)備包括密封腔體，用于抽取真空，作為進(jìn)行磁控濺射的環(huán)境；載片臺，設(shè)置于密封腔體內(nèi)；遮擋屏蔽件，設(shè)置于載片臺和磁控濺射組件之間；移動部，與遮擋屏蔽件固定連接；控制器，與移動部電性連接；電壓傳感器，與磁控濺射組件和控制器電性連接。方法包括電壓傳感器檢測磁控濺射組件的濺射電壓，當(dāng)濺射電壓與設(shè)定電壓一致時，電壓傳感器發(fā)送電信號至控制器，由控制器控制移動部帶動遮擋屏蔽件移動，遮擋射向基片的靶材物質(zhì)；當(dāng)濺射電壓與設(shè)定電壓一致時，取消遮擋射向基片的靶材物質(zhì)，便于使基片得到的氧化釩薄膜的成分更單一，提高質(zhì)量。