一種晶圓的檢測方法、濺射設備及計算機可讀存儲介質

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210085641.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114496853A 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN114496853A 申請公布日 2022-05-13
分類號 H01L21/67（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I;C23C14/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 萬燕清;解巖;蔡浩杰 申請（專利權）人 無錫尚積半導體科技有限公司
代理機構 蘇州京昀知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 214135江蘇省無錫市新吳區(qū)長江南路35-312號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種晶圓的檢測方法、濺射設備及計算機可讀存儲介質，涉及半導體技術領域。晶圓的檢測方法包括：控制傳送手臂拿取位于上料腔中的晶圓；控制位于上料腔上方的傳感器的發(fā)射端向下發(fā)射檢測信號；判斷是否接收到傳感器發(fā)出的偏移信號，偏移信號由傳感器生成并發(fā)出，當發(fā)射端發(fā)出檢測信號后的預設時間間隔內，位于上料腔下方的傳感器的接收端未接收到檢測信號時，傳感器生成偏移信號；若接收到偏移信號，則判定晶圓發(fā)生偏移，并控制濺射設備的報警裝置發(fā)出警報信號。通過本發(fā)明，能夠對上料腔中的晶圓位置進行檢測，使用戶及時地獲取到晶圓偏移的信息。