一種晶圓級封裝瞬態(tài)電壓抑制二極管的制造方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010165852.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111276393A | 公開（公告）日 | 2020-06-12 |
| 申請公布號 | CN111276393A | 申請公布日 | 2020-06-12 |
| 分類號 | H01L21/223(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 張志向;張玲玲 | 申請（專利權(quán)）人 | 天水天光半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
| 代理機構(gòu) | 蘭州錦知源專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 天水天光半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
| 地址 | 741000甘肅省天水市秦州區(qū)環(huán)城西路7號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種晶圓級封裝瞬態(tài)電壓抑制二極管的制造方法，通過對襯底外延片硅片一次清洗、對襯底硅片進行初始氧化、對具有氧化層的襯底硅片進行一次光刻、光刻的襯底片進行磷予擴散，通過磷予擴散，將正負極引到芯片正面，產(chǎn)品厚度可以根據(jù)背面減薄厚度(150?300)±5um范圍調(diào)整，通過正面金屬化，襯底硅片依次進行Ti?W金屬濺射、蒸發(fā)AL金屬；通過對襯底硅片進行正面焊盤金屬化學(xué)鍍Ni、Au，通過化學(xué)鍍Ni、Au作為焊盤金屬，將晶圓劃片后焊接在電路板上，該產(chǎn)品不需要再做封裝工藝。本發(fā)明不僅有效的減小了封裝體積，降低了產(chǎn)品厚度，硅片生產(chǎn)后不需要再封裝的晶圓級封裝瞬態(tài)電壓抑制二極管。?? |
