一種半導體制造用濕法氧化裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020611027.5 申請日 -
公開（公告）號 CN211828682U 公開（公告）日 2020-10-30
申請公布號 CN211828682U 申請公布日 2020-10-30
分類號 H01L21/316(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 王昭 申請（專利權）人 天水天光半導體有限責任公司
代理機構 蘭州錦知源專利代理事務所（普通合伙） 代理人 天水天光半導體有限責任公司
地址 741000甘肅省天水市秦州區(qū)環(huán)城西路7號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型屬于半導體制造技術領域，涉及一種半導體制造用濕法氧化裝置。包括擴散爐和水氣供給管路，所述水氣供給管路包括與氧氣源連接的輸氧管、與氮氣源連接的輸?shù)堋⑴c去離子水源連接的去離子水輸送管，所述輸氧管和輸?shù)苌显O置有開關閥和流量控制閥，所述去離子水輸送管上設有開關閥和水泵，所述輸氧管和輸?shù)苓B接于擴散爐的進氣口，所述去離子水輸送管伸入擴散爐的爐膛內。相較于現(xiàn)有的濕法水汽氧化設備，本實用新型采用去離子水直接輸送進入擴散爐中進行汽化，能夠保證去離子水蒸汽供應量的穩(wěn)定，從而保證半導體元器件上氧化層生長速率穩(wěn)定，一致性較好，同時簡化了設備結構，降低了成本，并杜絕了人員操作過程發(fā)生燙傷的安全隱患。??