反向電壓40V或60V橋式整流電路的集成制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010166234.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111244037A 公開（公告）日 2020-06-05
申請公布號 CN111244037A 申請公布日 2020-06-05
分類號 H01L21/8222(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張志向;鄧春茂 申請（專利權(quán)）人 天水天光半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 蘭州錦知源專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 天水天光半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
地址 741000甘肅省天水市秦州區(qū)環(huán)城西路7號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是一種反向電壓40V或60V橋式整流電路的集成制作方法，步驟為：a、襯底硅片清洗b、初始氧c、埋層光d、注入砷e、砷退火f、漂片g、清洗：h、初始氧化i、下隔離光刻j、注入硼，k、下隔離推結(jié)m、漂片n、清洗o、外延，P、襯底硅片清洗Q、初始氧化R、上隔離光刻T、硼擴(kuò)散U、隔離擴(kuò)散V、漂硼硅玻璃W、清洗X、氧化Y、N+光刻Z、清洗AA、磷擴(kuò)散BB、磷再擴(kuò)散CC、P+環(huán)光刻DD、硼離子注入EE、退火FF、引線孔光刻GG、清洗HH、Ni勢壘金屬蒸發(fā)II、硅化物形成JJ、Ni硅化物腐LL、正面金屬Al蒸發(fā)MM、金屬反刻。優(yōu)點：采用這種工藝電路一致性好，封裝體積小，封裝良率高。??