一種減小三極管反向放大倍數(shù)的泡發(fā)射磷擴(kuò)散工藝方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010174293.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111341650A | 公開（公告）日 | 2020-06-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111341650A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-06-26 |
| 分類號(hào) | H01L21/22(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 高彥平;張錦春 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 天水天光半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘭州錦知源專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 天水天光半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
| 地址 | 741000甘肅省天水市秦州區(qū)環(huán)城西路7號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種減小三極管反向放大倍數(shù)的泡發(fā)射磷擴(kuò)散工藝方法。本方法在原來泡發(fā)射工藝基礎(chǔ)上將擴(kuò)散溫度提高到了1150±20℃，通源時(shí)間減少到2～3分鐘。另外，利用鋁板散熱快的特點(diǎn)，將發(fā)射區(qū)磷擴(kuò)散完后的硅片在鋁板上得到了快速降溫。在集成電路生產(chǎn)中，本改進(jìn)工藝可以做出淺結(jié)、反向電流放大系數(shù)較小即反向漏電流較小的晶體管，滿足了電路要求，提高電路性能。?? |
