一種半導(dǎo)體芯片正面焊接金屬結(jié)構(gòu)的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010361867.5 申請日 -
公開（公告）號 CN111627826A 公開（公告）日 2020-09-04
申請公布號 CN111627826A 申請公布日 2020-09-04
分類號 H01L21/60(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王元之;張志向 申請（專利權(quán)）人 天水天光半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 成都弘毅天承知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 天水天光半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
地址 741000甘肅省天水市秦州區(qū)環(huán)城西路7號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體芯片正面焊接金屬結(jié)構(gòu)的方法，屬于半導(dǎo)體集成電路及分立器件加工技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括的步驟有：a、襯底硅片清洗；b、Ti?W金屬濺射處理；c、蒸發(fā)金屬Al，本發(fā)明采用兩種清洗液先后處理硅片使其潔凈化，有利于Ti?W金屬濺射處理，能提高Ti?W金屬層的粘附性；在蒸發(fā)Al前Ti?W金屬濺射處理，能夠避免蒸發(fā)Al對器件的損傷，防止金屬Al電遷移到器件造成器件早期失效，提高了晶片的合格率。??