基于離子注入的球面電極微半球諧振陀螺儀的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811118555.0 申請日 -
公開（公告）號 CN109115243A 公開（公告）日 2021-06-25
申請公布號 CN109115243A 申請公布日 2021-06-25
分類號 G01C25/00 分類 測量；測試;
發(fā)明人 王新龍;喻磊;莊須葉;王帆;曹衛(wèi)達;呂杰 申請（專利權(quán)）人 安徽北方微電子研究院集團有限公司
代理機構(gòu) 安徽省蚌埠博源專利商標事務(wù)所 代理人 陳俊
地址 233000 安徽省蚌埠市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)湯和路2016號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開基于離子注入的球面電極微半球諧振陀螺儀的制備方法，包括以下步驟：在P型雙拋硅片表面生長氮化硅薄膜，通過光刻與刻蝕形成各向同性腐蝕掩膜；在P型雙拋硅片腐蝕出半球腔，去除氮化硅薄膜；氧離子注入形成埋氧層；在半球腔表面光刻電極圖形、引線圖形以及PAD圖形，在所述圖形之外的半球腔進行磷注入形成N型硅；在半球腔表面制備氧化硅層；在半球腔底部制備錨點，并腐蝕錨點部分的氧化硅層；在氧化硅層表面沉積多晶硅薄膜；保留在半球腔內(nèi)的氧化硅層與與多晶硅薄膜分別構(gòu)成犧牲層與諧振子；腐蝕犧牲層釋放諧振子；制備蓋帽進行鍵合封裝，完成球面電極微半球諧振陀螺儀的制備；在制備過程中不損傷電極和球殼，且工藝簡單、易于實現(xiàn)。