一種PRE_ASIC芯片及其基于半導(dǎo)體探測(cè)器的模塊化集成前端
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210257399.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114690234A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114690234A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-01 |
| 分類號(hào) | G01T1/24（2006.01）I;G01T7/00（2006.01）I | 分類 | 測(cè)量；測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 沈國(guó)紅;王科;張永杰;張煥新;蘇波;張珅毅;孫越強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 中國(guó)科學(xué)院國(guó)家空間科學(xué)中心 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京方安思達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 100190北京市海淀區(qū)中關(guān)村南二條1號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種PRE_ASIC芯片及其基于半導(dǎo)體探測(cè)器的模塊化集成前端。前端包括半導(dǎo)體探測(cè)器、集成PRE_ASIC芯片、印制PCB板和屏蔽結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體探測(cè)器將入射到其上的電粒子的損失能量轉(zhuǎn)化為電荷信號(hào)；PRE_ASIC芯片包括電荷靈敏前置放大、脈沖成形、峰值保持、主放大和閾值觸發(fā)電路；電荷靈敏前置放大電路將電荷信號(hào)進(jìn)行前置放大并轉(zhuǎn)換成脈沖信號(hào)；脈沖成形電路將脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào)；主放大電路將電壓信號(hào)進(jìn)行二次放大；峰值保持電路將主放大后的電壓信號(hào)進(jìn)行電壓峰值保持并輸出；閾值觸發(fā)電路將主放大后的電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為觸發(fā)信號(hào)并輸出；半導(dǎo)體探測(cè)器和PRE_ASIC芯片設(shè)置在同一印制PCB板上。本發(fā)明減小了探測(cè)模塊的結(jié)構(gòu)尺寸和重量，降低了外界噪聲的干擾，提高了信噪比。 |
