一種雙真空艙室晶圓質(zhì)子輻照裝置及輻照方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111509361.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113903490A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-01-07 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113903490A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-07 |
| 分類(lèi)號(hào) | G21K5/00（2006.01）I;H01L21/263（2006.01）I | 分類(lèi) | 核物理；核工程; |
| 發(fā)明人 | 呂銀龍;葛濤;王婉琳;張俊新;馮雨;石玉博;郭如勇;孫璽 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 國(guó)電投核力創(chuàng)芯（無(wú)錫）科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京知聯(lián)天下知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 張迎新 |
| 地址 | 100089北京市海淀區(qū)清華東路35號(hào)北林學(xué)研中心C棟1層107房間 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種雙真空艙室晶圓質(zhì)子輻照裝置及輻照方法，所述雙真空艙室晶圓質(zhì)子輻照裝置包括：晶圓輻照真空艙和換片真空艙，所述晶圓輻照真空艙和換片真空艙通過(guò)連接真空段連通；所述連接真空段外設(shè)有屏蔽墻；所述晶圓輻照真空艙設(shè)置于輻照廳，所述換片真空艙設(shè)置于輻照前廳，所述屏蔽墻把所述輻照廳和輻照前廳密封隔離開(kāi)。所述輻照裝置非常適合于高能質(zhì)子輻照，有利于大幅減輕工作人員所受到的射線(xiàn)傷害，可以實(shí)現(xiàn)晶圓的均勻化輻照，提高輻照質(zhì)量，容量大，提高生產(chǎn)效率，保證了晶圓托盤(pán)平穩(wěn)傳輸，有效到位，不會(huì)對(duì)大氣造成活化，有助于從兩個(gè)方面提高輻照精度能夠?qū)崿F(xiàn)高性能IGBT芯片的生產(chǎn)和軟度因子大于2的快軟恢復(fù)快軟恢復(fù)二極管的制造。 |
