一種溝槽式肖特基芯片的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410210599.1 申請日 -
公開（公告）號 CN103956390B 公開（公告）日 2017-01-11
申請公布號 CN103956390B 申請公布日 2017-01-11
分類號 H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 呂新立;關仕漢;薛濤 申請（專利權）人 淄博美林電子有限公司
代理機構 淄博佳和專利代理事務所 代理人 孫愛華
地址 255000 山東省淄博市張店區(qū)張柳路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種溝槽式肖特基芯片的制造方法，屬于半導體器件制造領域。包括N型基片（6）、位于N型基片（6）上方的N型外延層（5），在N型外延層（5）上部刻蝕出多個溝槽（8），在溝槽（8）內(nèi)形成氧化硅絕緣層（4）并填充有多晶硅3（3），在溝槽（8）上方依次形成肖特基界面（2）和金屬層（1），其特征在于：在所述的溝槽（8）外側設置有一個降壓環(huán)（7），降壓環(huán)（7）內(nèi)由氧化硅絕緣層（4）填充。本發(fā)明的溝槽式肖特基芯片省去傳統(tǒng)溝槽式肖特基芯片生產(chǎn)時接觸孔光刻步驟，簡化了生產(chǎn)工藝同時性能與傳統(tǒng)溝槽式肖特基芯片相同。