一種碳化硅二極管的耐高溫封裝框架制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510436598.3 申請日 -
公開（公告）號 CN105118790B 公開（公告）日 2017-12-29
申請公布號 CN105118790B 申請公布日 2017-12-29
分類號 H01L21/60(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李安 申請（專利權(quán)）人 淄博美林電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 淄博佳和專利代理事務(wù)所 代理人 張雯
地址 255000 山東省淄博市張店區(qū)張柳路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種碳化硅二極管的耐高溫封裝框架制備方法，屬于半導(dǎo)體器件制造設(shè)備領(lǐng)域。其特征在于，低溫?zé)Y(jié)步驟的具體工藝曲線為：將利用納米銀膏黏著有碳化硅晶粒（4）的框架主體（1）放入真空焊接爐中，抽真空到50~55mbar時再充氮?dú)猓?0~12℃/min升溫至150~155℃后保溫2~4min，再連續(xù)升溫至185~190℃后保溫8~12min，再升溫至270~275℃，抽真空充氮?dú)庵?bar~15bar保持10~15min確保粘接強(qiáng)度，然后進(jìn)行冷卻，即完成碳化硅晶粒（4）和框架主體（1）的焊接。本發(fā)明利用了兩個焊接區(qū)（冷卻區(qū)和加熱區(qū)）配合特殊的溫度曲線，而且焊接過程中加一定的壓力，縮短了焊接時間，提高了生產(chǎn)效率。