一種用于三維集成封裝技術(shù)的圓片級鍵合方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310263685.4 申請日 -
公開（公告）號 CN103390566B 公開（公告）日 2015-10-14
申請公布號 CN103390566B 申請公布日 2015-10-14
分類號 H01L21/60(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡堅(jiān);魏體偉;王謙 申請（專利權(quán)）人 廈門清芯集成科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陳瀟瀟;肖冰濱
地址 100084 北京市海淀區(qū)清華園1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的目的是提供一種用于三維集成封裝技術(shù)的圓片級鍵合方法，其屬于低溫的圓片鍵合方法，可以避免在高溫下因焊料的軟化出現(xiàn)凸點(diǎn)間的橫向偏移或者金屬鍵合過程中金屬表面易氧化等問題。該方法包括：完成第一圓片的硅通孔、正面制備工藝、背面減薄以及背面制備工藝；在第一圓片的背面上涂覆第一干刻蝕型苯丙環(huán)丁烯并對第一干刻蝕型苯丙環(huán)丁烯進(jìn)行固化；通過對第一干刻蝕型苯丙環(huán)丁烯進(jìn)行處理使得所述第一圓片的背面上的用于與已形成有硅通孔的第二圓片進(jìn)行電學(xué)連接的部位暴露出來；將第二圓片與所述第一圓片進(jìn)行對準(zhǔn)鍵合，其中第二圓片的硅通孔與第一圓片的背面上的所述部位對準(zhǔn)；以及完成第二圓片的硅通孔和背面工藝的制備。