一種LED芯片的外延結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120408080.X 申請日 -
公開（公告）號 CN214254447U 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN214254447U 申請公布日 2021-09-21
分類號 H01L33/06（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉恒山;吳永勝;解向榮;曹鑫;唐允清;馬野 申請（專利權）人 福建兆元光電有限公司
代理機構 福州市博深專利事務所（普通合伙） 代理人 唐燕玲
地址 350109福建省福州市閩侯縣南嶼鎮(zhèn)生物醫(yī)藥和機電產業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種LED芯片的外延結構，包括襯底層、N型氮化鎵層、量子阱層、含銦的隔離層及P型氮化鎵層；所述N型氮化鎵層、所述量子阱層、所述隔離層及所述P型氮化鎵層由靠近所述襯底層至遠離所述襯底層的方向依次排布；本實用新型在量子阱層和P型氮化鎵層之間加入含銦的隔離層，銦能夠發(fā)揮類似表面活性劑的作用，增加材料在生長過程中的表面遷移能力，使得其下已生長完成的量子阱層中可能已經(jīng)產生的V型坑得到填充從而變小甚至填平，使得V型坑的數(shù)量減小及降低V型坑的深度，從而降低了V型坑帶來的量子阱層電阻值下降及錯位穿透的影響，提升了LED芯片的正向抗靜電能力。