一種在襯底上生長(zhǎng)外延結(jié)構(gòu)的方法及外延結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110614947.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113363362A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN113363362A 申請(qǐng)公布日 2021-09-07
分類(lèi)號(hào) H01L33/12（2010.01）I;H01L33/20（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉恒山;吳永勝;解向榮;曹鑫 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 福建兆元光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 福州市博深專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 顏麗蓉
地址 350109福建省福州市閩侯縣南嶼鎮(zhèn)生物醫(yī)藥和機(jī)電產(chǎn)業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種在襯底上生長(zhǎng)外延結(jié)構(gòu)的方法及外延結(jié)構(gòu)，在襯底上生長(zhǎng)緩沖層；在所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)上生長(zhǎng)預(yù)備2D層；在所述預(yù)備2D層遠(yuǎn)離所述緩沖層的一側(cè)上生長(zhǎng)3D層；本發(fā)明在緩沖層晶胞遠(yuǎn)離緩沖層的一側(cè)上生長(zhǎng)預(yù)備2D層，預(yù)備2D層能夠填平緩沖層上的晶胞間隙，使得緩沖層生長(zhǎng)有預(yù)備2D層的一側(cè)形成較大的平臺(tái)，在此基礎(chǔ)上繼續(xù)生長(zhǎng)的3D層和2D層晶體更加規(guī)整，使得之后生長(zhǎng)的N型氮化鎵結(jié)構(gòu)規(guī)整，從而實(shí)現(xiàn)質(zhì)量提高，克服現(xiàn)有大規(guī)格襯底上晶胞間隙小，2D層和3D層的受間隙影響不規(guī)整導(dǎo)致N型氮化鎵層生長(zhǎng)質(zhì)量低的問(wèn)題，特別適用于在大規(guī)格襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延結(jié)構(gòu)。