一種氮化鎵發(fā)光二極管LED外延片的生長(zhǎng)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910881609.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110504340B 公開(kāi)（公告）日 2021-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN110504340B 申請(qǐng)公布日 2021-10-08
分類(lèi)號(hào) H01L33/00（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L21/02（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C23C16/56（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C30B25/02（2006.01）I;C30B29/38（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 解向榮;吳永勝;張帆;劉恒山 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 福建兆元光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 福州元?jiǎng)?chuàng)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 代理人 修斯文;蔡學(xué)俊
地址 350109福建省福州市閩侯縣南嶼鎮(zhèn)福州市生物醫(yī)藥和機(jī)電產(chǎn)業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于光電技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種新型的氮化鎵發(fā)光二極管（LED）外延片的生長(zhǎng)方法。首先使用PECVD在藍(lán)寶石上磁控濺射生長(zhǎng)ALN薄膜緩沖層，再轉(zhuǎn)移至MOCVD進(jìn)行高溫刻蝕，對(duì)AlN緩沖層進(jìn)行粗化處理，形成島狀結(jié)構(gòu)，然后退火后繼續(xù)在MOCVD中二次生長(zhǎng)ALN薄膜緩沖層，會(huì)增加ALN側(cè)向生長(zhǎng)，合并過(guò)程中位錯(cuò)會(huì)發(fā)生湮滅，可以降低ALN薄膜中的位錯(cuò)密度，再將生長(zhǎng)ALN緩沖層完畢的藍(lán)寶石襯底退火清洗后再轉(zhuǎn)移至MOCVD腔室內(nèi)再進(jìn)行GaN基材料的生長(zhǎng)，得到所述LED外延片。在此基礎(chǔ)上生長(zhǎng)的GaN基LED外延片晶體質(zhì)量好、位錯(cuò)密度低、光效較傳統(tǒng)的LED外延片提升約10%，同時(shí)抗靜電能力提升顯著。