電阻性內(nèi)存單元的準(zhǔn)定壓降自我中止寫入方法及其電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810035565.1 申請日 -
公開（公告）號 CN110047523A 公開（公告）日 2019-07-23
申請公布號 CN110047523A 申請公布日 2019-07-23
分類號 G11C5/14（2006.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 黃志仁 申請（專利權(quán)）人 珠海興芯存儲科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 塔普思科技股份有限公司;珠海興芯存儲科技有限公司
地址 塞舌爾伊甸島
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種電阻性內(nèi)存單元的準(zhǔn)定壓降自我中止寫入方法。該方法包含下列步驟：建立寫入電壓及流過電阻性內(nèi)存單元的寫入電流；復(fù)制該寫入電流，以產(chǎn)生復(fù)制寫入電流；使該復(fù)制寫入電流流過仿真電路，以產(chǎn)生仿真寫入電壓；將仿真寫入電壓以一隨寫入時間依比例微幅增加與參考電壓相加，以產(chǎn)生寫入?yún)⒖茧妷海患案鶕?jù)寫入?yún)⒖茧妷簛碚{(diào)整寫入電壓及寫入電流，致使電阻性內(nèi)存單元的兩端跨壓在寫入期間保持固定或微幅增加。當(dāng)該復(fù)制寫入電流到達(dá)預(yù)定的目標(biāo)電流值時，發(fā)出中止信號；及該中止信號將相關(guān)寫入電路關(guān)閉，以使該電阻性內(nèi)存單元的寫入期間優(yōu)化。