電阻性內(nèi)存單元的準(zhǔn)定壓降自我中止寫入方法及其電路
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201810035565.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110047523B | 公開(公告)日 | 2021-07-27 |
申請公布號 | CN110047523B | 申請公布日 | 2021-07-27 |
分類號 | G11C5/14(2006.01)I | 分類 | 信息存儲(chǔ); |
發(fā)明人 | 黃志仁 | 申請(專利權(quán))人 | 珠海興芯存儲(chǔ)科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 許靜;安利霞 |
地址 | 519080廣東省珠海市高新區(qū)金唐路1號港灣1號科創(chuàng)園灣9棟B區(qū)四層403室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種電阻性內(nèi)存單元的準(zhǔn)定壓降自我中止寫入方法。該方法包含下列步驟:建立寫入電壓及流過電阻性內(nèi)存單元的寫入電流;復(fù)制該寫入電流,以產(chǎn)生復(fù)制寫入電流;使該復(fù)制寫入電流流過仿真電路,以產(chǎn)生仿真寫入電壓;將仿真寫入電壓以一隨寫入時(shí)間依比例微幅增加與參考電壓相加,以產(chǎn)生寫入?yún)⒖茧妷?;及根?jù)寫入?yún)⒖茧妷簛碚{(diào)整寫入電壓及寫入電流,致使電阻性內(nèi)存單元的兩端跨壓在寫入期間保持固定或微幅增加。當(dāng)該復(fù)制寫入電流到達(dá)預(yù)定的目標(biāo)電流值時(shí),發(fā)出中止信號;及該中止信號將相關(guān)寫入電路關(guān)閉,以使該電阻性內(nèi)存單元的寫入期間優(yōu)化。 |
