基于石墨烯的IPM混合模塊封裝結(jié)構(gòu)及加工工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910188506.2 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN109887909B 公開(公告)日 2019-06-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN109887909B 申請(qǐng)公布日 2019-06-14
分類號(hào) H01L25/16(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 鮑婕;陳珍海;許媛;寧仁霞;侯麗;徐文藝;王勝群 申請(qǐng)(專利權(quán))人 黃山寶霓二維新材科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州國(guó)誠(chéng)專利代理有限公司 代理人 韓鳳
地址 245041安徽省黃山市屯溪區(qū)西海路39號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于石墨烯的IPM混合模塊的封裝結(jié)構(gòu)及加工工藝,其結(jié)構(gòu)包括硅基IGBT芯片、碳化硅基肖特基勢(shì)壘二極管芯片、驅(qū)動(dòng)單元芯片、石墨烯基覆銅陶瓷基板、納米銀互連層、緩沖墊片、銅互連塊、焊料層、塑封外殼、封裝樹脂、導(dǎo)熱硅脂以及一體式散熱器。其中采用上下雙基板且芯片倒裝的封裝形式,將芯片電極通過覆銅陶瓷基板連接到引線框架,替換掉鍵合引線,從而實(shí)現(xiàn)IPM混合模塊的雙面散熱,提升模塊可靠性;同時(shí)結(jié)合基板上的芯片布局設(shè)計(jì),采用高導(dǎo)熱石墨烯材料增強(qiáng)基板局部熱點(diǎn)的快速散熱,從而降低IPM混合模塊的最高溫度,提升模塊使用壽命。??