一種銦砷銻體單晶的生長(zhǎng)裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010658989.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111748846B 公開(kāi)（公告）日 2021-11-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN111748846B 申請(qǐng)公布日 2021-11-23
分類號(hào) C30B29/40（2006.01）I;C30B11/00（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 滕樹(shù)龍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州燎塬半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 鄭越
地址 215614 江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)鳳凰大道14號(hào)（鳳凰科技創(chuàng)業(yè)園F幢6層）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種InAsxSb1?x（0≤x≤0.1）體單晶的生長(zhǎng)裝置，該裝置采用密閉的安瓿瓶結(jié)構(gòu)，同時(shí)結(jié)合坩堝下端開(kāi)口的獨(dú)特設(shè)計(jì)，既能夠抑制銻元素的揮發(fā)，又能夠?qū)崿F(xiàn)三元化合物半導(dǎo)體單晶的擇優(yōu)生長(zhǎng)，從而成功制備出大尺寸銦砷銻體單晶。