一種銻化鎵多晶原料的合成裝置及方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010659461.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111647947A | 公開（公告）日 | 2020-09-11 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111647947A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-11 |
| 分類號(hào) | C30B29/40;C30B28/00 | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 呂冰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州燎塬半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京中仟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 田江飛 |
| 地址 | 100101 北京市朝陽(yáng)區(qū)安翔北里11號(hào)創(chuàng)業(yè)大廈C座127室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種銻化鎵多晶原料的合成裝置及方法，該裝置通過采用密閉的安瓿瓶，同時(shí)結(jié)合獨(dú)特的石英坩堝結(jié)構(gòu)和工藝設(shè)計(jì)，從而避免了高溫下銻單質(zhì)的大量揮發(fā)，成功獲得了化學(xué)計(jì)量比接近1:1的銻化鎵多晶原料，并且具有極好的工藝重復(fù)性。 |
