一種銻化鎵多晶原料的合成裝置及方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010659461.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111647947B | 公開(公告)日 | 2021-11-19 |
申請公布號 | CN111647947B | 申請公布日 | 2021-11-19 |
分類號 | C30B29/40(2006.01)I;C30B28/00(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 呂冰 | 申請(專利權(quán))人 | 蘇州燎塬半導(dǎo)體有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京中仟知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 田江飛 |
地址 | 215614 江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)鳳凰大道14號(鳳凰科技創(chuàng)業(yè)園F幢6層) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種銻化鎵多晶原料的合成裝置及方法,該裝置通過采用密閉的安瓿瓶,同時結(jié)合獨特的石英坩堝結(jié)構(gòu)和工藝設(shè)計,從而避免了高溫下銻單質(zhì)的大量揮發(fā),成功獲得了化學(xué)計量比接近1:1的銻化鎵多晶原料,并且具有極好的工藝重復(fù)性。 |
