一種MEMS薄膜半導(dǎo)體氣敏傳感器陣列識別方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011401931.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112557459A | 公開(公告)日 | 2021-03-26 |
申請公布號 | CN112557459A | 申請公布日 | 2021-03-26 |
分類號 | G16C20/20(2019.01)I;G01N27/12(2006.01)I;G16C20/70(2019.01)I;G01N33/00(2006.01)I;G06K9/62(2006.01)I | 分類 | 測量;測試; |
發(fā)明人 | 余岑;李如意;李東風(fēng);黃志華;劉紅恩 | 申請(專利權(quán))人 | 安徽芯核防務(wù)裝備技術(shù)股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 231400安徽省合肥市高新區(qū)望江西路800號D8樓2034號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種MEMS薄膜半導(dǎo)體氣敏傳感器陣列識別方法,包括,已知物質(zhì)建模:使用傳感器陣列對第一類已知物質(zhì)進(jìn)行采樣,在所述第一類已知物質(zhì)的揮發(fā)氣體濃度逐步上升的過程中時(shí)刻,得到n個(gè)時(shí)刻的電導(dǎo)率變化向量集合;對所述電導(dǎo)率變化向量集合進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化得到標(biāo)準(zhǔn)化電導(dǎo)率變化向量集合,對所述標(biāo)準(zhǔn)化電導(dǎo)率變化向量集合進(jìn)行主元分析,獲取第一主成分向量;對所述k類已知物質(zhì)第一主成分向量進(jìn)行線性判別式分析,計(jì)算得到特征變換矩陣,獲得樣本類,存入特征數(shù)據(jù)庫中;未知物質(zhì)檢測:重復(fù)上述步驟,得到投影到特征空間的一個(gè)點(diǎn)td,計(jì)算td與所述特征數(shù)據(jù)庫中的樣本類均值的距離是否小于已有樣本聚類的分布直徑,判斷更接近哪一類氣體。?? |
