一種高分散性超細(xì)氧化釹的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010148889.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111304469A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-06-19 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111304469A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-06-19 |
| 分類(lèi)號(hào) | C22B59/00(2006.01)I | 分類(lèi) | - |
| 發(fā)明人 | 葛天源;邱建民;吳驍;袁月芬 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 贛州嘉源新材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 贛州智府晟澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 夏琛蓮 |
| 地址 | 341001江西省贛州市贛州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)金龍路5號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種高分散性超細(xì)氧化釹的制備方法，該高分散性超細(xì)氧化釹的制備方法，包括混合配料、萃取、化學(xué)沉淀、灼燒、氫碎和氧化等工序；本發(fā)明結(jié)合化學(xué)沉淀和氫碎工藝，化學(xué)沉淀得到氟化釹，經(jīng)過(guò)煅燒得到微米級(jí)氧化釹，然后再經(jīng)過(guò)吸氫除去殘余單相釹，再次煅燒氧化提高純度，在吸氫階段單晶釹吸氫膨脹在微觀層面產(chǎn)生晶界破碎，產(chǎn)生沿晶斷裂，提高氧化釹細(xì)度和優(yōu)化顆粒形態(tài)；生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單，產(chǎn)品粒徑和分散性良好，在掃描電鏡下顆粒為均勻球形，幾近單分散，作為添加劑能均勻分散在材料中。?? |
