一種低成本多絲正比計(jì)數(shù)器電極陣列及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310655036.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103645492B 公開（公告）日 2015-11-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN103645492B 申請(qǐng)公布日 2015-11-18
分類號(hào) G01T1/18(2006.01)I;G01T5/00(2006.01)I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 李四華;李維;楊忠鈺;施林偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州盛維新電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518000 廣東省深圳市福田區(qū)彩田路中銀大廈A座22樓EB房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及的一種低成本多絲正比計(jì)數(shù)器電極陣列，包括上、下平行排列的多個(gè)電極層，每一電極層對(duì)應(yīng)地承載及固定在一絕緣基片上，每一絕緣基片包括第一絕緣薄膜片和第二絕緣薄膜片，第一薄膜片和第二薄膜片上還分別設(shè)有電極絲導(dǎo)電帶，從下往上將多個(gè)絕緣基片按順序分為奇數(shù)層絕緣基片和偶數(shù)層絕緣基片，各奇數(shù)層絕緣基片所對(duì)應(yīng)電極層上各電極絲具有相同的電極極性，各偶數(shù)層絕緣基片所對(duì)應(yīng)電極層上各電極絲具有相同的電極極性。本發(fā)明目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、生產(chǎn)成本低、探測(cè)面積大的多絲正比計(jì)數(shù)器電極陣列及其制作方法。