降低對存儲器接口性能影響的閃存錯(cuò)誤檢測方法及裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510017224.8 申請日 -
公開(公告)號 CN104615503A 公開(公告)日 2015-05-13
申請公布號 CN104615503A 申請公布日 2015-05-13
分類號 G06F11/10(2006.01)I 分類 計(jì)算;推算;計(jì)數(shù);
發(fā)明人 黎智 申請(專利權(quán))人 廣東省電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都九鼎天元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 廣東省電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司;廣東華晟數(shù)據(jù)固態(tài)存儲有限公司
地址 510507 廣東省廣州市天河區(qū)粵墾路188號8樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種降低對存儲器接口性能影響的閃存錯(cuò)誤檢測方法及裝置。根據(jù)閃存各頁所在位置的物理特性,將一個(gè)塊中的頁按照ECC增長的速度差異分到不同的組,在實(shí)際巡檢操作中,根據(jù)不同的組分配不同的巡檢周期,ECC增長越快的頁面,巡檢周期越短,反之越長。減小了Nand?Flash閃存的接口性能壓力,即減小了對存儲器對外接口的性能影響。