一種抗直流偏置鐵基納米晶合金磁芯及制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201811074077.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN109192431A | 公開(公告)日 | 2019-01-11 |
申請公布號 | CN109192431A | 申請公布日 | 2019-01-11 |
分類號 | H01F1/147;H01F27/25;H01F41/02 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 周國華;李忞;毛文龍;黃從偉 | 申請(專利權(quán))人 | 江西中磁科技協(xié)同創(chuàng)新有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京天盾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 江西中磁科技協(xié)同創(chuàng)新有限公司 |
地址 | 336000 江西省宜春市環(huán)城南路565號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種抗直流偏置鐵基納米晶合金磁芯及制備方法,所說鐵基合金材料各成分所占的重量比例為,Si 9?12%,B 7?10%,Nb 3?5%,Cu 1?2%,M 6?12%,余下為Fe,M為Ni、Co、Cr、Ga或In。本發(fā)明抗直流偏置鐵基納米晶合金磁芯能夠在寬頻下保持較高恒定磁導(dǎo)率,同時具備良好的抗飽和能力和抗DC?Bias特性。 |
