一種LPDRAM的電源門(mén)控電路
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201920881737.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN209747133U | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-12-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN209747133U | 申請(qǐng)公布日 | 2019-12-06 |
| 分類(lèi)號(hào) | G11C11/4074（2006.01） | 分類(lèi) | 信息存儲(chǔ); |
| 發(fā)明人 | 吳君; 杜艷強(qiáng); 張學(xué)淵; 朱光偉 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 蘇州匯峰微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州廣正知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 蘇州匯峰微電子有限公司 |
| 地址 | 215000 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道1355號(hào)國(guó)際科技園三期9樓A3–A6 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種LPDRAM的電源門(mén)控電路，包括第一電平轉(zhuǎn)換器、第二電平轉(zhuǎn)換器、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一PMOS管、第一NMOS管以及第二NMOS管，通過(guò)上述方式，本實(shí)用新型提供的LPDRAM的電源門(mén)控電路，既能在深度休眠模式關(guān)閉內(nèi)部電源來(lái)減少靜態(tài)漏電流，又能夠適應(yīng)多種電源電壓域的控制處理；在退出深度休眠模式后，同時(shí)利用高壓信號(hào)和NMOS管增強(qiáng)了對(duì)內(nèi)部電源網(wǎng)絡(luò)的驅(qū)動(dòng)能力，減小版圖的面積。 |
