一種低電阻率微硼摻雜旋轉(zhuǎn)濺射硅靶材及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201510180484.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN104775097B | 公開(公告)日 | 2017-04-12 |
申請公布號 | CN104775097B | 申請公布日 | 2017-04-12 |
分類號 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C4/134(2016.01)I;C23C4/04(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 羅永春;曾墩風;羅建冬;王志強 | 申請(專利權(quán))人 | 廈門映日新材料科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 廈門市精誠新創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 方惠春 |
地址 | 241000 安徽省蕪湖市蕪湖經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)汽經(jīng)一路5號1-005 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種低電阻率微硼摻雜旋轉(zhuǎn)濺射硅靶材及其制備方法。其由0.03?0.5wt%的硼、99.4wt%?99.9wt%的硅及雜質(zhì)制備得到。本發(fā)明還保護了所述微硼濺射旋轉(zhuǎn)硅靶材的制備方法。本發(fā)明通過在硅旋轉(zhuǎn)靶材材料的硅中添加硼,并引進新的生產(chǎn)工藝,得到的產(chǎn)品電阻率更低,結(jié)合強度高,極大的提高了產(chǎn)品性能,可廣泛用于液晶顯示玻璃鍍膜、光學鍍膜等領(lǐng)域,對行業(yè)的進步有極大的推動作用。 |
