一種LED芯片及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110583610.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113314648A | 公開(公告)日 | 2021-08-27 |
申請公布號 | CN113314648A | 申請公布日 | 2021-08-27 |
分類號 | H01L33/10(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 林志偉;陳凱軒;蔡建九;卓祥景 | 申請(專利權)人 | 廈門乾照半導體科技有限公司 |
代理機構 | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人 | 駱宗力 |
地址 | 361100福建省廈門市火炬高新區(qū)(翔安)產業(yè)區(qū)翔天路267號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種LED芯片及其制備方,通過第一DBR層和第二DBR層的設置,增加了LED芯片中DBR反射結構的反射率和反射譜,使得DBR反射結構在寬譜范圍內的反射率處于較高的水平,進而保證LED芯片的發(fā)光亮度高。并且,本發(fā)明通過第一DBR層和第二DBR層即能實現(xiàn)LED芯片發(fā)光亮度提高的目的,使得LED芯片的結構和制備工藝簡單。 |
