一種高增益有源區(qū)的生長方法及VCSEL的生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911187939.2 申請日 -
公開（公告）號 CN110867727B 公開（公告）日 2021-05-11
申請公布號 CN110867727B 申請公布日 2021-05-11
分類號 H01S5/183;H01S5/30;H01S5/343 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 田宇;杜石磊;韓效亞;吳真龍 申請（專利權(quán)）人 廈門乾照半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 361001 福建省廈門市火炬高新區(qū)（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)翔天路267號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種高增益有源區(qū)的生長方法及VCSEL的生長方法，高增益有源區(qū)的生長方法包括：周期性交替生長壘層和阱層，壘層的生長具體包括：通入III族源和V族源，所述III族源為金屬有機物，降低溫度和V?III組分比，形成具有摻雜的壘層，所述V?III組分比為V族源的組分與III族源的組分的比。通過降低溫度和V族源與III族源的組分的比值，增加III族金屬有機物的元素濃度，利用III族金屬有機物自身的組成元素對壘層進行摻雜，無需引入其他摻雜源，有效避免了雜質(zhì)的引入，克服了雜質(zhì)缺陷。