一種監(jiān)測晶片生長薄膜特性的裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410035799.8 申請日 -
公開（公告）號 CN104807754B 公開（公告）日 2017-09-29
申請公布號 CN104807754B 申請公布日 2017-09-29
分類號 G01N21/17(2006.01)I;G01J5/00(2006.01)I;G01L1/24(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 馬鐵中;嚴(yán)冬;劉健鵬;王林梓 申請（專利權(quán)）人 昂坤視覺（北京）科技有限公司
代理機構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 北京智朗芯光科技有限公司;昂坤視覺（北京）科技有限公司
地址 102206 北京市昌平區(qū)昌平路97號新元科技園B座503室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種監(jiān)測晶片生長薄膜特性的裝置，屬于半導(dǎo)體材料無損檢測領(lǐng)域。該裝置包括反射率運算模塊、溫度運算模塊和應(yīng)力運算模塊。該裝置能夠集成實現(xiàn)待測晶片反射率、溫度和應(yīng)力三個特性參數(shù)的監(jiān)測。