一種晶片應(yīng)力測量方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201310271765.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN103985653B | 公開（公告）日 | 2017-03-08 |
| 申請公布號 | CN103985653B | 申請公布日 | 2017-03-08 |
| 分類號 | H01L21/66(2006.01)I;G01L1/00(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 馬鐵中;劉健鵬;嚴(yán)冬;王林梓;焦宏達(dá) | 申請（專利權(quán)）人 | 昂坤視覺（北京）科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 | 代理人 | 北京智朗芯光科技有限公司;昂坤視覺（北京）科技有限公司 |
| 地址 | 102206 北京市昌平區(qū)昌平路97號新元科技園B座503室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種晶片應(yīng)力測量方法，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括步驟1：測量沿X方向的各入射光束被晶片反射后的沿X方向的光斑偏移量，旋轉(zhuǎn)樣品托盤，使晶片旋轉(zhuǎn)，測量各入射光束在晶片上沿Y方向掃描時，各入射點(diǎn)沿Y方向的光斑偏移量；步驟2：通過沿X方向的各入射光束的光斑偏移量，計(jì)算出晶片沿X方向的曲率半徑，通過沿Y方向的各入射點(diǎn)的光斑偏移量，計(jì)算出晶片沿Y方向的曲率半徑；步驟3：根據(jù)式（1）計(jì)算出應(yīng)力； |
