實(shí)時(shí)快速檢測晶片基底二維形貌的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410188243.2 申請日 -
公開（公告）號 CN105091777B 公開（公告）日 2017-12-26
申請公布號 CN105091777B 申請公布日 2017-12-26
分類號 G01B11/24(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 劉健鵬;馬鐵中;嚴(yán)冬 申請（專利權(quán)）人 昂坤視覺（北京）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 北京智朗芯光科技有限公司;昂坤視覺（北京）科技有限公司
地址 102206 北京市昌平區(qū)昌平路97號新元科技園B座503室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種實(shí)時(shí)快速檢測晶片基底二維形貌的方法。該方法包括以下步驟：令N束激光沿晶片基底徑向即X方向入射到晶片基底后又分別反射到與入射光一一對應(yīng)的PSD上，形成N個光斑；根據(jù)N個光斑的位置信號，計(jì)算晶片基底上任意兩個入射點(diǎn)之間在待測基底沿X方向的曲率CX；根據(jù)N個光斑的位置信號，計(jì)算晶片基底上任意一個入射點(diǎn)在待測基底移動方向即Y方向的曲率CY；其中，N為3以上的自然數(shù)；根據(jù)各CX、CY的計(jì)算結(jié)果，得到基底的二維形貌。該方法包括該方法能夠與高速旋轉(zhuǎn)的石墨盤上的藍(lán)寶石基底相適應(yīng)。