實(shí)時(shí)快速檢測(cè)晶片基底二維形貌的方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201410188243.2 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN105091777B | 公開(kāi)(公告)日 | 2017-12-26 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN105091777B | 申請(qǐng)公布日 | 2017-12-26 |
分類(lèi)號(hào) | G01B11/24(2006.01)I | 分類(lèi) | 測(cè)量;測(cè)試; |
發(fā)明人 | 劉健鵬;馬鐵中;嚴(yán)冬 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 昂坤視覺(jué)(北京)科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 | 代理人 | 北京智朗芯光科技有限公司;昂坤視覺(jué)(北京)科技有限公司 |
地址 | 102206 北京市昌平區(qū)昌平路97號(hào)新元科技園B座503室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種實(shí)時(shí)快速檢測(cè)晶片基底二維形貌的方法。該方法包括以下步驟:令N束激光沿晶片基底徑向即X方向入射到晶片基底后又分別反射到與入射光一一對(duì)應(yīng)的PSD上,形成N個(gè)光斑;根據(jù)N個(gè)光斑的位置信號(hào),計(jì)算晶片基底上任意兩個(gè)入射點(diǎn)之間在待測(cè)基底沿X方向的曲率CX;根據(jù)N個(gè)光斑的位置信號(hào),計(jì)算晶片基底上任意一個(gè)入射點(diǎn)在待測(cè)基底移動(dòng)方向即Y方向的曲率CY;其中,N為3以上的自然數(shù);根據(jù)各CX、CY的計(jì)算結(jié)果,得到基底的二維形貌。該方法包括該方法能夠與高速旋轉(zhuǎn)的石墨盤(pán)上的藍(lán)寶石基底相適應(yīng)。 |
