一種監(jiān)測晶片生長薄膜特性的裝置及其用途

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410036443.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104807495B 公開（公告）日 2017-12-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN104807495B 申請(qǐng)公布日 2017-12-01
分類號(hào) G01D21/02(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 馬鐵中;嚴(yán)冬;王林梓;劉健鵬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 昂坤視覺（北京）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 北京智朗芯光科技有限公司;昂坤視覺（北京）科技有限公司
地址 100191 北京市昌平區(qū)昌平路97號(hào)新元科技園B座503室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種監(jiān)測晶片生長薄膜特性的裝置及其用途，屬于半導(dǎo)體材料無損檢測領(lǐng)域。該裝置包括第一激光光源、第二激光光源、第一二相色鏡、分束鏡、第二二相色鏡、第一探測器、第二探測器、位置探測器、腔室、狹縫窗口、樣品托盤和轉(zhuǎn)軸。該裝置及其用途能夠集成實(shí)現(xiàn)待測晶片反射率、溫度和應(yīng)力三個(gè)特性參數(shù)集成監(jiān)測。