一種提高刻蝕效率的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111219997.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113900353A 公開（公告）日 2022-01-07
申請公布號 CN113900353A 申請公布日 2022-01-07
分類號 G03F1/80（2012.01）I;G02B6/136（2006.01）I;G02B6/125（2006.01）I;G02B6/124（2006.01）I;G02B6/132（2006.01）I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 孫冰麗;陳軍;王亞萍;孫健;蘇曉華;常夏森;宋祎杰;丁?？?/td> 申請（專利權(quán)）人 河南仕佳光子科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 鄭州優(yōu)盾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 栗改
地址 458030河南省鶴壁市淇濱區(qū)國家經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)延河路201號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種提高刻蝕效率的制造方法，用以解決現(xiàn)有半導(dǎo)體芯片制造過程中，由于除波導(dǎo)外空白面積較大進(jìn)而導(dǎo)致刻蝕工藝時(shí)間較長的問題。本發(fā)明的步驟為：根據(jù)半導(dǎo)體芯片的波導(dǎo)得到設(shè)計(jì)圖形，在設(shè)計(jì)圖形的周圍設(shè)計(jì)馬賽克圖形，得到掩膜版圖；根據(jù)掩膜版圖制作芯片的掩膜版。本發(fā)明只需要在掩膜版圖繪制的時(shí)候，在原來的掩膜版圖周圍生成馬賽克，在不增加生產(chǎn)工藝流程和生產(chǎn)成本的情況下，能夠有效縮短刻蝕工藝時(shí)間，提高了刻蝕效率，從而提高半導(dǎo)體芯片的整體生產(chǎn)效率。