記憶體元件陣列

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> PCT/CN2019/113228 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) WO2021077389A1 公開（公告）日 2021-04-29
申請(qǐng)公布號(hào) WO2021077389A1 申請(qǐng)公布日 2021-04-29
分類號(hào) H01L27/24;H01L29/423;H01L45/00;G11C13/00;G11C29/56;H01L21/66 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 LIU, CHUN-CHIH;劉峻志;LIAO, YU-CHENG;廖昱程;CHIU, HUNG-YU;邱泓瑜;LEE, YI-CHENG;李宜政 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 LECOME INTELLECTUAL PROPERTY AGENT LTD.;北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
地址 No. 601, East Changjiang Road, Huaiyin District, Huaian,Jiangsu 223300 CN
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種記憶體元件陣列包含多條位元線、多條字線及多個(gè)晶體管。多條字線與位元線交錯(cuò)且電性絕緣；多個(gè)晶體管各包含源/漏極及柵極；各晶體管的源/漏極電性連接位元線的其中一者；柵極電性連接字線的其中一者；晶體管的柵極的至少二者具有不同的長度。在測試記憶體元件陣列時(shí)，可以取得更多的記憶體元件數(shù)據(jù)。