相變化記憶體及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810068238.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108110139B 公開（公告）日 2021-11-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN108110139B 申請(qǐng)公布日 2021-11-19
分類號(hào) H01L45/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳孝哲;王博文 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐金國
地址 北京市海淀區(qū)豐豪東路9號(hào)院2號(hào)樓8層4單元802
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種相變化記憶體及其制造方法。制造相變化記憶體的方法包含以下操作：（a）形成堆疊層結(jié)構(gòu)于基材上，堆疊層結(jié)構(gòu)包含第一加熱材料層、第二加熱材料層以及第一介電層；（b）形成第一凹口貫穿堆疊層結(jié)構(gòu)；（c）形成第一導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)于第一凹口中；（d）圖案化堆疊層結(jié)構(gòu)，使堆疊層結(jié)構(gòu)的剩余部分形成第一圖案化加熱材料層、第二圖案化加熱材料層以及第一圖案化介電層；（e）形成第二凹口貫穿堆疊層結(jié)構(gòu)的剩余部分，第二凹口將第一圖案化加熱材料層及第二圖案化加熱材料層斷開，而形成第一多層加熱組件以及第二多層加熱組件；以及（f）形成相變化組件于第二凹口中。在此亦揭露一種相變化記憶體。在此揭露的相變化記憶體具有更高的寫入數(shù)據(jù)速度及可靠度。