記憶體測試陣列

基本信息

申請?zhí)?/td> PCT/CN2019/113227 申請日 -
公開（公告）號 WO2021077388A1 公開（公告）日 2021-04-29
申請公布號 WO2021077388A1 申請公布日 2021-04-29
分類號 G11C29/56 分類 信息存儲;
發(fā)明人 LIU, CHUN-CHIH;劉峻志;LIAO, YU-CHENG;廖昱程;CHIU, HUNG-YU;邱泓瑜;LEE, YI-CHENG;李宜政 申請（專利權(quán)）人 江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 LECOME INTELLECTUAL PROPERTY AGENT LTD.;北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
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法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種記憶體測試陣列包含第一記憶體元件陣列、第二記憶體元件陣列以及多個共用導(dǎo)電墊。第一記憶體元件陣列包含多條第一位元線、多條第一字線、多個第一晶體管。多個第一晶體管各包含第一源/漏極及第一柵極。第一晶體管的第一柵極的至少二者具有不同的長度。第二記憶體元件陣列與第一記憶體元件陣列相鄰。第二記憶體元件陣列包含多條第二位元線、多條第二字線以及多個第二晶體管。共用導(dǎo)電墊各具有第一端及第二端；第一端電性連接于第一位元線且第二端電性連接于第二位元線，或者第一端電性連接于第一字線且第二端電性連接于第二字線。本揭示內(nèi)容的記憶體測試陣列可以有效節(jié)省記憶體測試晶片的面積。