相變化存儲器及其制造方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010093033.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113270545A | 公開(公告)日 | 2021-08-17 |
申請公布號 | CN113270545A | 申請公布日 | 2021-08-17 |
分類號 | H01L45/00 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 劉峻志;廖昱程;李承翰;邱青松 | 申請(專利權(quán))人 | 江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 徐金國 |
地址 | 223300 江蘇省淮安市淮陰區(qū)長江東路601號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種相變化存儲器,包含下電極、加熱器、相變化層以及上電極。下電極包含電性接觸的導(dǎo)電芯層以及熱阻層,且熱阻層圍繞導(dǎo)電芯層的外側(cè)面周圍。加熱器耦接于下電極,相變化層耦接于加熱器,且上電極耦接于相變化層。 |
