相變化記憶體
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201711403141.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN108123035B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN108123035B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-06 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L45/00;H01L27/24 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 蘇水金 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 徐金國(guó) |
| 地址 | 223300 江蘇省淮安市淮陰區(qū)長(zhǎng)江東路601號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明揭露一種相變化記憶體。相變化記憶體包含主動(dòng)元件、下電極、阻障件、加熱器、第一絕緣層、上電極以及環(huán)狀相變化層。下電極耦接主動(dòng)元件，阻障件位于下電極上方，而加熱器嵌于阻障件中。第一絕緣層覆蓋加熱器與阻障件，而上電極位于第一絕緣層上方。環(huán)狀相變化層圍繞第一絕緣層與上電極，且環(huán)狀相變化層接觸加熱器的至少一側(cè)面。由于加熱器與環(huán)狀相變化層之間的接觸面積很小，因此相變化記憶體的重置電流很低。 |
