相變化記憶體

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711403141.8 申請日 -
公開（公告）號 CN108123035B 公開（公告）日 2021-04-06
申請公布號 CN108123035B 申請公布日 2021-04-06
分類號 H01L45/00;H01L27/24 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蘇水金 申請（專利權(quán)）人 江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐金國
地址 223300 江蘇省淮安市淮陰區(qū)長江東路601號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭露一種相變化記憶體。相變化記憶體包含主動元件、下電極、阻障件、加熱器、第一絕緣層、上電極以及環(huán)狀相變化層。下電極耦接主動元件，阻障件位于下電極上方，而加熱器嵌于阻障件中。第一絕緣層覆蓋加熱器與阻障件，而上電極位于第一絕緣層上方。環(huán)狀相變化層圍繞第一絕緣層與上電極，且環(huán)狀相變化層接觸加熱器的至少一側(cè)面。由于加熱器與環(huán)狀相變化層之間的接觸面積很小，因此相變化記憶體的重置電流很低。