相變化記憶體

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810339585.8 申請日 -
公開（公告）號 CN108550696B 公開（公告）日 2022-02-25
申請公布號 CN108550696B 申請公布日 2022-02-25
分類號 H01L45/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳孝哲 申請（專利權(quán)）人 江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐金國
地址 江蘇省淮安市淮陰區(qū)長江東路601號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭露一種相變化記憶體。相變化記憶體包含相變化層、導(dǎo)電層、加熱元件、第一絕緣墊以及接觸結(jié)構(gòu)。相變化層具有一主表面，導(dǎo)電層位于相變化層的主表面的一側(cè)，且電性連接相變化層。加熱元件接觸相變化層的主表面。第一絕緣墊接觸相變化層的主表面，且包含相對的第一側(cè)面以及第二側(cè)面，分別接觸加熱元件以及導(dǎo)電層。接觸結(jié)構(gòu)電性連接加熱元件。此相變化記憶體具有低生產(chǎn)成本、穩(wěn)定的品質(zhì)及高的記憶單元密度。