一種硅兼容雙極性異質(zhì)結(jié)紫外-近紅外雙波段光電探測(cè)器及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010931651.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112002781B 公開（公告）日 2021-08-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN112002781B 申請(qǐng)公布日 2021-08-17
分類號(hào) H01L31/101;H01L31/109;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 于永強(qiáng);徐艷;宋龍梅;夏宇;許高斌;馬淵明;陳興 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 合肥廬陽(yáng)科技創(chuàng)新集團(tuán)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 安徽省合肥新安專利代理有限責(zé)任公司 代理人 盧敏
地址 230001 安徽省合肥市廬陽(yáng)區(qū)亳州路街道濉溪路335號(hào)藍(lán)鉆尚界B座6樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅兼容雙極性異質(zhì)結(jié)紫外?近紅外雙波段光電探測(cè)器及其制備方法，該探測(cè)器的結(jié)構(gòu)為：在單晶硅襯底的上、下表面皆設(shè)置有SiO2絕緣層；在各層SiO2絕緣層的中心皆形成一盲孔；在上層盲孔內(nèi)沉積有二維2H?MoSe2材料，在下層盲孔內(nèi)沉積有二維1T?WS2材料，兩種材料與單晶硅襯底形成2H?MoSe2/Si/1T?WS2雙極性異質(zhì)結(jié)；上層二維2H?MoSe2材料和下層二維1T?WS2材料外表面分別設(shè)置有頂電極和底電極。本發(fā)明所制備的探測(cè)器具有在紫外和近紅外雙波段的窄帶響應(yīng)，且響應(yīng)速度快、易集成。