一種新型底發(fā)射垂直腔面發(fā)射激光器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201922210410.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN210074422U 公開（公告）日 2020-02-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN210074422U 申請(qǐng)公布日 2020-02-14
分類號(hào) H01S5/183;H01S5/20 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李邁克 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中證博芯（重慶）半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶信航知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 中證博芯（重慶）半導(dǎo)體有限公司
地址 401573 重慶市合川區(qū)草街街道嘉合大道500號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種新型底發(fā)射垂直腔面發(fā)射激光器，包括順序形成在襯底基板表面的下DBR、有源區(qū)域、氧化限制層、上DBR和上金屬電極層，襯底基板底面形成有向表面延伸具有內(nèi)外深度差的出光孔，出光孔內(nèi)層底部與下DBR間距為d且0