NPN型肖特基集電區(qū)AlGaN/GaN HBT器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911303100.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111081769A 公開（公告）日 2020-04-28
申請公布號 CN111081769A 申請公布日 2020-04-28
分類號 H01L29/737;H01L21/331 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李邁克 申請（專利權(quán)）人 中證博芯（重慶）半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 重慶中之信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 中證博芯（重慶）半導(dǎo)體有限公司
地址 401520 重慶市草街街道嘉合大道500號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了NPN型肖特基集電區(qū)AlGaN/GaN HBT器件及制備方法，從下往上依次包括：襯底、埋氧層、集電區(qū)、基區(qū)以及發(fā)射區(qū)，所述集電區(qū)包括下層的N型單晶硅層以及上層的TiSi2層，所述基區(qū)包括P型GaN層，所述發(fā)射區(qū)包括N型AlGaN層以及位于其上的N型GaN帽層；所述N型單晶硅層上設(shè)有集電極，所述基區(qū)設(shè)有基極，所述GaN帽層上設(shè)有發(fā)射極。本發(fā)明接觸界面特性好，可提高器件開關(guān)速度和截止頻率，工藝簡單且兼容現(xiàn)有硅基工藝。