一種增強(qiáng)型異質(zhì)金屬柵AlGaN/GaN MOS-HEMT器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921823837.0 申請日 -
公開（公告）號 CN210073863U 公開（公告）日 2020-02-14
申請公布號 CN210073863U 申請公布日 2020-02-14
分類號 H01L29/423;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李邁克 申請（專利權(quán)）人 中證博芯（重慶）半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶中之信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 中證博芯（重慶）半導(dǎo)體有限公司;中合博芯（重慶）半導(dǎo)體有限公司
地址 401520 重慶市合川區(qū)草街街道嘉合大道500號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種增強(qiáng)型異質(zhì)金屬柵AlGaN/GaN MOS?HEMT器件，包括：位于Al2O3襯底之上的AlN過渡層；位于所述AlN過渡層之上的多層緩沖結(jié)構(gòu)；位于多層緩沖結(jié)構(gòu)之上的AlGaN阻擋層；位于所述AlGaN阻擋層之上的GaN帽層；位于所述第一GaN層之上且向上穿過所述AlGaN阻擋層以及GaN帽層的源極和漏極；位于所述GaN帽層、源極和漏極之上的柵極氧化層；位于所述柵極氧化層之上的異質(zhì)柵極結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型能夠提高溝道驅(qū)動電流，可對閾值電壓進(jìn)行靈活調(diào)整、能防止溝道載流子遷移率的惡化。