一種新型DBR結(jié)構(gòu)的VCSEL

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201821740060.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN210640483U 公開(kāi)（公告）日 2020-05-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN210640483U 申請(qǐng)公布日 2020-05-29
分類(lèi)號(hào) H01S5/183;H01S5/343 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 周廣正;黃瑞;代京京 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 中證博芯（重慶）半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶信航知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 中證博芯（重慶）半導(dǎo)體有限公司
地址 401573 重慶市合川區(qū)草街街道嘉合大道500號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種新型DBR結(jié)構(gòu)的VCSEL，包括背面設(shè)有N面電極的導(dǎo)電襯底，導(dǎo)電襯底的表面自下而上依次生長(zhǎng)有N型GaAs緩沖層、N型DBR和量子阱有源區(qū)，量子阱有源區(qū)表面一區(qū)域生長(zhǎng)有氧化限制層，氧化限制層的外周同層設(shè)有鋁氧化產(chǎn)物AlxOy圓環(huán)，氧化限制層和鋁氧化產(chǎn)物AlxOy的表面設(shè)有平面圓形的P型DBR，在鋁氧化產(chǎn)物AlxOy和P型DBR同層外周的量子阱有源區(qū)表面設(shè)有SiO2填充層，P型DBR的表面設(shè)有空氣隙DBR，SiO2填充層的表面設(shè)有P面電極。本申請(qǐng)通過(guò)采用空氣隙結(jié)構(gòu)DBR，增大了DBR材料的折射率差，減少了DBR對(duì)數(shù)，進(jìn)而減小了串聯(lián)電阻和對(duì)光的吸收。