臺面結(jié)構(gòu)PNP型肖特基集電區(qū)SOI SiGe HBT結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921934642.3 申請日 -
公開（公告）號 CN209981219U 公開（公告）日 2020-01-21
申請公布號 CN209981219U 申請公布日 2020-01-21
分類號 H01L29/737;H01L29/47;H01L29/10;H01L29/08;H01L29/06;H01L21/331 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李邁克 申請（專利權(quán)）人 中證博芯（重慶）半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶信航知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 中證博芯（重慶）半導(dǎo)體有限公司;中合博芯（重慶）半導(dǎo)體有限公司
地址 401573 重慶市合川區(qū)草街街道嘉合大道500號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種臺面結(jié)構(gòu)PNP型肖特基集電區(qū)SOI SiGe HBT結(jié)構(gòu)，包括單晶硅襯底及層疊于單晶硅襯底表面的埋氧層構(gòu)成的SOI襯底，埋氧層表面順序?qū)盈B有P型重?fù)诫s單晶硅層、金屬硅化物薄層、N型重?fù)诫sSi1?xGex基區(qū)層、P型摻雜單晶硅發(fā)射區(qū)帽層和P型重?fù)诫s多晶硅發(fā)射區(qū)層，P型重?fù)诫s多晶硅發(fā)射區(qū)層至P型摻雜單晶硅發(fā)射區(qū)帽層刻蝕形成有發(fā)射區(qū)和基區(qū)電極接觸臺面，P型重?fù)诫s多晶硅發(fā)射區(qū)層至金屬硅化物薄層刻蝕形成有集電區(qū)電極接觸臺面，臺面結(jié)構(gòu)表面覆蓋有氧化薄膜層，電極窗口形成有對應(yīng)金屬電極，基區(qū)電極接觸區(qū)域里沉積有N型重?fù)诫sSi1?yGey。本申請能提高器件截止頻率和增益并減小基區(qū)渡越時(shí)間且能與常規(guī)硅基工藝兼容。