電源鉗位ESD保護(hù)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710600942.7 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN109286181B 公開(公告)日 2022-06-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN109286181B 申請(qǐng)公布日 2022-06-28
分類號(hào) H02H9/04(2006.01)ICN 1581481 A,2005.02.16;US 6291964 B1,2001.09.18;CN 106059514 A,2016.10.26;CN 101236965 A,2008.08.06;US 2003/0128486 A1,2003.07.10;CN 101640411 A,2010.02.03;CN 102136722 A,2011.07.27;CN 102222892 A,2011.10.19;CN 103779858 A,2014.05.07;CN 104319275 A,2015.01.28 文毅.功率集成電路中的高壓電源和地之間的ESD保護(hù).《現(xiàn)代電子技術(shù)》.2006,(第4期),全文. 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 李威;李小勇 申請(qǐng)(專利權(quán))人 上海韋玏微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京禎新珵藝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 -
地址 215000 江蘇省蘇州市相城區(qū)元和街道聚茂街185號(hào)活力商務(wù)廣場(chǎng)B幢13層1306室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種電源鉗位ESD保護(hù)電路,所述電源鉗位ESD保護(hù)電路包含:觸發(fā)模塊和泄放模塊;泄放模塊包括泄放晶體管單元,泄放晶體管單元包含第一NMOS晶體管和開關(guān)模塊;觸發(fā)模塊包含觸發(fā)單元,所述觸發(fā)單元包含電壓輸出端,所述電壓輸出端與所述第一NMOS晶體管的柵極連接,用于控制所述第一NMOS晶體管的導(dǎo)通或截止;開關(guān)模塊用于在接地端的電平高于電源端的電平時(shí)導(dǎo)通,以將第一NMOS晶體管的柵極與源極短接。本發(fā)明使用較低的成本,對(duì)用于ESD保護(hù)的電源鉗位電路進(jìn)行改進(jìn),在負(fù)向靜電釋放中也能產(chǎn)生較強(qiáng)的電荷釋放通路,起到完善的ESD保護(hù)功能。