一種離子膜燒堿一次精制鹽水除硅鋁深度精制的方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910696744.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110342548A | 公開(公告)日 | 2019-10-18 |
申請公布號 | CN110342548A | 申請公布日 | 2019-10-18 |
分類號 | C01D3/06 | 分類 | 無機化學(xué); |
發(fā)明人 | 劉利華;李俊;程雄 | 申請(專利權(quán))人 | 南京納億工程技術(shù)有限公司 |
代理機構(gòu) | 上海科盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 蔣亮珠 |
地址 | 211200 江蘇省南京市溧水區(qū)永陽鎮(zhèn)水保路18號1幢 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種離子膜燒堿一次精制鹽水除硅鋁深度精制的方法,該方法包括以下步驟:(1)調(diào)節(jié)pH使SiO2和Al(OH)3沉淀;(2)添加鐵鹽溶液,使水解產(chǎn)生具有吸附作用的氫氧化鐵,并進行吸附;(3)打入超濾膜系統(tǒng),截留沉淀并產(chǎn)處精制鹽水進入二次鹽水精制系統(tǒng);(4)回收沉淀泥渣作為氧化鐵紅的生產(chǎn)原料。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明不改變現(xiàn)有一次鹽水精制工藝,不影響現(xiàn)有的生產(chǎn),僅在現(xiàn)有的一次鹽水精制工序的最后增加深度精制單元,技改容易實施,且加入的精制劑量少且不會在精制鹽水中殘留,同時又可以可將硅鋁雜質(zhì)同時去除,操作的寬容度大。 |
